Samsung Electronics, по сообщениям южнокорейской газеты Seoul Economic Daily, планирует использовать мощности тайваньской компании TSMC для выпуска базовых кристаллов специализированной памяти NVHBM, разрабатываемой для Nvidia. Речь идёт о применении 3-нм техпроцесса.
Согласно публикации Seoul Economic Daily, Nvidia предложила Samsung, SK hynix и Micron использовать единый технологический процесс для базовых кристаллов, стандартизировав при этом основные кристаллы памяти на базе DRAM шестого поколения. В конструкции высокоскоростной памяти HBM (High Bandwidth Memory) базовый кристалл служит для взаимодействия между слоями памяти и другими компонентами системы. В варианте NVHBM его роль, как сообщается, становится более значимой, что повышает требования к выбору технологии производства.
Источник изображения: сгенерировано Muse
При этом Samsung, по данным Seoul Economic Daily, после внутреннего рассмотрения согласилась с требованиями Nvidia, но продолжает оценивать возможность выпуска базовых кристаллов на собственных производственных мощностях. Отдельно TrendForce сообщала, что Samsung изучает двухвариантную схему для специализированной памяти HBM: использовать собственное производство базовых кристаллов либо заказывать их у TSMC в зависимости от требований заказчика. Эти сведения согласуются с возможностью привлечения внешнего подрядчика, но не подтверждают конкретную договорённость, о которой сообщили 18 октября.
На данный момент участие TSMC в производстве базовых кристаллов NVHBM для Nvidia остаётся неподтверждённой информацией из отраслевых источников. Не опубликованы и официальные заявления компаний, которые позволили бы установить окончательную схему производства.
