Micron представила флеш-память NAND нового поколения — G11, ее производство планируется развернуть во второй половине 2027 года. Технология G11 предусматривает более 400 слоёв. Судя по представленным планам, Micron может пропустить поколение G10.
Плотность хранения данных у G11, рассчитанная на единицу площади, будет примерно вдвое выше, чем у нынешней G9 NAND с 276 слоями. Скорость ввода-вывода вырастет до 1,5 раза, а энергопотребление при передаче данных снизится более чем на 25%. Эти изменения должны повысить эффективность хранения и обработки больших объёмов информации, в том числе в системах искусственного интеллекта.
После G11 Micron намерена внедрять в NAND новые материалы с высокой подвижностью носителей заряда. Компания рассчитывает с их помощью создать более плотную архитектуру ячеек и дополнительно повысить энергоэффективность памяти.
Отдельно Micron представила два типа NAND для ИИ-инфраструктуры центров обработки данных. Первый вариант оптимизирован для высокой производительности операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и использует SLC-память, рассчитанную на подключение непосредственно к графическим процессорам. Второй ориентирован на высокую пропускную способность и по концепции напоминает HBF — подход к созданию памяти с высокой полосой пропускания.
